PFN-Marx发生器准方波输出特性与装置的紧凑性是一对矛盾。随着对装置紧凑性的更高要求，发生器叠加过程中PFN波传输产生的级间电磁耦合愈发明显，其对PFN的脉冲调制特性有显著的影响，进一步影响发生器的准方波输出特性。基于此问题，本文开展PFN-Marx发生器叠加过程中PFN的电磁耦合分析。首先，通过理论推导，分析波传输过程中PFN级内和级间的电磁耦合现象，并得出其计算公式；然后，建立典型的PFN-Marx发生器的3D模型进行场路协同仿真；最后，分别搭建单级、多级发生器进行实验验证。通过分析对比三种结果，提高对PFN-Marx发生器波传输过程中电磁耦合的认识，从而在设计中规避部分电磁耦合，提升PFN-Marx发生器方波输出能力。本文可以为PFN-Marx发生器的准方波输出和紧凑化提供技术参考。

提出一种基于表面等离子体共振（SPR）效应的锚形双通道光子晶体光纤（PCF）传感器，用于实现温度与折射率（RI）的超宽范围同步检测。该传感器具有非对称锚型横截面结构，纤芯表面沿正交方向抛光为半圆形，并选择性镀覆金属金（Au）和聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane PDMS）薄膜，实现了极化分辨的SPR激发机制。该设计可分别激励高阶x极化与y极化模式，形成两个独立通道，实现多参数同时检测。其中，x极化通道通过Au/PDMS复合膜同时响应RI与温度变化，y极化通道则依靠Au膜单独实现RI检测。基于COMSOL Multiphysics软件对结构参数进行了全面优化，确保两个通道均具备强耦合强度、良好模式约束及高效高阶模激励能力。仿真结果表明，所设计的传感器在宽折射率检测范围1.21～1.44内表现出14 500 nm的最大折射率灵敏度，在宽温度变化范围−100 ℃至100 ℃内实现了最高4 nm/℃的温度灵敏度。该传感器结构新颖、灵敏度高、选择性强，具备在复杂生物和化学环境中开展癌细胞实时检测、生化分析及多参数同步监测等实际应用的广阔前景。

提出了一种基于卷积神经网络（CNN）的半导体激光自混合干涉（SMI）微位移重构方法，将SMI信号分段并以窗口平均位移作为标签输入卷积神经网络，实现了物体微米量级位移的直接重构，避免了位移重构过程中复杂的SMI信号相位解包裹计算过程。所使用的卷积神经网络由三组卷积层、池化层和线性整流函数组成，其中卷积层用于提取SMI信号中的局部位移特征，池化层用于压缩SMI信号中的特征信息并增强抗干扰能力，线性整流函数有助于突出SMI信号中的关键位移特征。在理论仿真中，将具有10 dB噪声的SMI信号输入至已训练完成的卷积神经网络中，直接输出物体重构微位移的均方根误差为$ 5.3\times {10}^{-8}$；在实验中，将包含系统噪声的SMI信号输入已训练完成的卷积神经网络中，直接输出物体重构微位移的均方根误差为$ 2.1\times {10}^{-7} $。理论仿真与实际实验结果均表明，卷积神经网络通过分析SMI信号的时序片段，能够实现半导体激光自混合干涉信号的微米量级位移重构。

激光器中的反应动力学常包含大量激发态物种。激发态物种之间的相互作用与由此导致的数值刚性是激光器数值模拟的一大挑战。通过神经网络建立激发态反应动力学关系回归可有效降低计算复杂度，为更加准确精细的激光器数值模拟提供可能。但激发态反应动力学的复杂性同样要求神经网络具有较强的回归性能。引入了序列神经网络来在较低参数量的前提下提升网络复杂回归的能力，同时提出了统计网络框架来进一步增加网络输出的多样性。所提出的方法在包含16个物种和137个反应的氟化氢振动态反应机理中进行了验证。在验证过程中，同时发现了随机性对网络性能的影响。

在惯性约束聚变（ICF）实验中，可通过在低密度聚合物泡沫中引入氯、氩、锗、铜等元素来调控辐射不透明度、改善流体力学稳定性及实现温度、密度示踪诊断。本文综述了掺杂聚合物泡沫的制备研究现状，分析了当前掺杂过程中存在的问题，并展望了未来面向高重复频率、高掺杂精度需求的技术发展趋势。该综述可为ICF实验靶材料的设计与制备提供参考。

哈达玛散斑的投影顺序直接影响欠采样率下鬼成像的图像重构质量与效率。提出了一种基于哈达玛基的递归交叉排序策略，通过逆向解构层级子空间，利用偶数索引映射机制对具有正交纹理特征的散斑进行交错重组，打破了单一方向特征在采样序列中的连续性堆积。通过在理想和高斯噪声环境下的仿真得出，该策略在0～100%全采样区间内有效削减了传统Russian Dolls排序中的质量指标随采样率增加而出现的震荡现象，实现了成像质量较为平滑演进与稳健收敛，且在0～10%低采样率区间内，其重构图像的峰值信噪比相较于Hadamard自然排序平均提升最大约101.7%，较激光模式散斑排序平均提升最大约11.4%，最大提升约3.4 dB，最后设计了光学实验，验证了该策略的效果。这一排序策略或可为实现快速鬼成像提供有效的途径。

W波段是重要的窗口频段，在高容量通信、高分辨率成像和高精度探测等毫米波领域具有重要前沿应用价值。针对新一代W波段固态高集成收发机系统的应用需求，提出一款低损耗、低阶数、易加工的波导型准椭圆带通滤波器。该滤波器基于2个混合高阶谐振腔，结合偏移磁耦合方法，实现带两个传输零点的4阶准椭圆响应，带外抑制性能良好。主要内容包括：W波段混合高阶模滤波器的结构拓扑设计；混合谐振模式（TE₂₀₁/TE₁₀₂和TE₃₀₁/TE₁₀₂）与传输零点产生机理与独立性分析；错位偏移磁耦合结构特征；滤波器整体性能优化及其H面分裂式CNC加工等。实测结果表明，该滤波器的有效通带为91.5 GHz至98 GHz，3 dB相对带宽为7%，带内插入损耗低至0.4 dB，回波损耗优于15 dB。除高频边带有少量偏移外，实测结果与仿真结果高度一致，验证了该器件的易加工、易集成与易频率拓展等特点。

串联谐振型电容器充电电源凭借高效、高功率密度及抗短路能力，在脉冲功率领域应用广泛。然而，其传统PFM恒流充电控制方式导致充电损耗较大，效率降低，该问题在充电初期阶段表现尤为突出。提出一种多模态混合式恒流充电控制策略，旨在提高电容器充电电源的效率和输入电源的利用率。该策略通过半桥模态（充电初期）、混合式模态（充电中期）及全桥模态（充电后期）的协同控制，实现充电电压无缝切换的同时减小充电损耗、提升效率。此外，通过功率器件的复用设计实现模态切换，既满足高压充电需求，又降低了系统成本。基于此，设计并搭建一台650 V/1 A的充电电源样机。实验表明，相比传统PFM恒流充电控制，该策略显著提高了充电电源的整体效率，最大充电效率为96.4%。该方案不仅为电容储能设备的充电系统提供了高效率、低成本的控制路径，其模态切换机制亦可迁移至其他谐振型变换器的设计中，具备广泛的工程推广价值。

为满足高功率脉冲应用对大电流双极性输出及灵活调控的需求，本文提出并实现了一种基于SiC MOSFET并联全桥拓扑的紧凑集成式双极性脉冲电源系统。该系统在单板上集成主功率级、隔离驱动、辅助电源与控制保护模块，兼具高功率密度与良好扩展性。实验结果表明：在50～300 V母线电压下，输出峰值电流与母线电压保持高度线性相关，脉宽调节实现了峰值电流的连续可控，最大增幅达37%。系统可稳定输出高达±300 A的双极性脉冲电流，充分验证了大电流输出与紧凑设计的兼容性。此外，在500 ns脉宽下四管并联的均流不均匀系数为12.87%，验证了协同驱动与独立栅极电阻设计的有效性。研究结果表明，该紧凑集成方案在大电流双极性脉冲输出与参数可调性之间实现了兼顾，为中压条件下高功率脉冲源的小型化与工程化提供了实验依据和设计参考。

研制了一套同轴结构的脉冲强磁场设备用于和高功率激光装置相配合开展磁化激光等离子体实验。除磁场线圈外，整个设备全部采用同轴结构以降低电感和抑制电磁辐射，同时在整个设备外加屏蔽层来抑制电磁辐射；传输线部分使用多根长度约3 m的软同轴电缆并联的方式连接电容器和靶室上的刚性传输线。在40 kV脉冲充电电压时，使用直径12 mm的三匝磁场线圈作为负载，产生了峰值电流105 kA、上升时间1.2 μs、平顶宽度1.4 μs的放电脉冲，在线圈中心产生了22 T的强磁场。与课题组之前的脉冲强磁场设备相比，此设备除了可以产生更大的电流和更强的磁场外，自由空间电磁辐射和真空靶室上的电位抖动明显降低。软同轴电缆并联的传输线设计可以适应各种靶场环境，增加了使用灵活性。