电源学报

电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (3) : 211 - 219. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.211

可靠性分析

动态高温反偏应力下的SiC MOSFET 测试平台及其退化机理研究

作者信息 +

¹ 河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室天津 300401

² 浙江大学电气工程学院杭州 310058

³ 南京信息工程大学自动化学院南京 210044

左璐巍(1999-),男,硕士研究生。研究方向:功率半导体器件可靠性。E-mail: 202121401044@stu.hebut.edu.cn。

辛振(1988-),男,中国电源学会高级会员,通信作者,博士,教授。研究方向:基于WBG的电力电子系统的状态监测、电力电子元件失效机制的建模与验证,以及可再生能源系统中电力转换器的建模与控制。E-mail:xzh@hebut.edu.cn。

蒙慧(1998-),男,中国电源学会学生会员,硕士研究生。研究方向:功率半导体器件可靠性和器件结温检测。E-mail:mh19980924@163.com。

周泽(1996-),男,博士研究生。研究方向:功率器件的状态监测与可靠性评估。E-mail: 202111401009@stu.hebut.edu.cn。

余彬(1989-),男,中国电源学会会员,博士。研究方向:固态配电技术、功率半导体器件可靠性与应用。E-mail:yubinee@zju.edu.cn。

罗皓泽(1986-),男,中国电源学会会员,博士。研究方向:功率半导体器件技术与应用研究,包括功率半导体器件的应用特性分析、功率半导体器件的可靠性研究、功率半导体器件的封装与工艺开发等。E-mail:haozeluo@zju.edu.cn。

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