电源学报

电源学报 ›› 2025, Vol. 23 ›› Issue (6) : 340 - 352. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2025.6.340

功率半导体器件

GaN HEMT功率器件的改进型在线死区补偿方法研究

作者信息 +

^1.山东工商学院信息与电子工程学院，烟台　264005

^2.华南理工大学自动化科学与工程学院，广州　510000

高赟翔（1996—　），男，中国电源学会会员，通信作者，硕士研究生。研究方向：电力电子及运动控制。E-mail：2021420021@sdtbu.edu.cn。

刘伟（1977—　），男，博士，副教授。研究方向：电力电子技术应用、嵌入式系统应用、计算机控制及信号处理等。E-mail：liuwei@sdtbu.edu.cn。

黄珊（1998—　），女，硕士研究生。研究方向：电力电子及运动控制。E-mail：571776086@qq.com。

王孝洪（1976—　），男，博士，教授。研究方向：电力电子技术及其在新能源、节能领域的应用，电机驱动技术及其在机器人、运动控制领域的应用。E-mail：xhwang@scut.edu.cn。

姜庭豪（1998—　），男，硕士研究生。研究方向：计算机视觉。E-mail：2021420008@sdtbu.edu.cn。

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