电源学报

电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (3) : 258 - 263. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.258

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漏源电压对 SiC MOSFET 阈值电压准确测量影响的研究

作者信息 +

北京工业大学微电子学院北京 100124

姚博均(2000-),男,硕士研究生。研究方向:SiC 半导体可靠性。E-mail:s202272125@emails.bjut.edu.cn。

郭春生(1980-),男,通信作者,博士,副教授。研究方向:微电子器件与集成电路可靠性。E-mail: guocs@bjut.edu.cn。

崔绍雄(1999-),男,硕士研究生。研究方向:SiC半导体可靠性。E-mail:shaoxiongcui@emails.bjut.edu.cn。

李嘉芃(2000-),男,硕士研究生。研究方向:SiC 半导体可靠性。E-mail:jiapengli@emails.bjut.edu.cn。

张亚民(1970–),男,博士,副教授。研究方向:半导体器件及可靠性。E-mail:yaminzhang@bjut.edu.cn。

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