电源学报

电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (1) : 147 - 152. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.1.147

功率半导体器件

SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究

作者信息 +

¹ 中国科学院大学微电子学院微电子学院北京 100049

² 中国科学院微电子研究所微电子研究所北京 100029

³ 株洲中车时代半导体有限公司半导体有限公司株洲 412001

刘建君(1994-),男,硕士。研究方向:SiC 功率器件研发。E-mail:liujianjun@ime.ac.cn。

陈宏(1987-),男,博士,助理研究员。研究方向: SiC 功率器件研发。E-mail:chenhong@ime.ac.cn。

丁杰钦(1986-),男,博士,工程师。研究方向:SiC 功率器件研发。E-mail: dingjq@csrzic.com。

白云(1978-),女,通信作者,博士,研究员。研究方向:SiC 功率器件研发。E-mail:baiyun@ime.ac.cn。

郝继龙(1990-),男,博士,助理研究员。研究方向:SiC 功率器件研发。E-mail:haojilong@ime.ac.cn。

韩忠霖(1993-),男,博士。研究方向:SiC 功率器件研发。E-mail:hanzhonglin@ime.ac.cn。

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